Número da peça | RDR005N25TL |
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Status da Parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 540mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 Ohm @ 250mA, 10V |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TSMT3 |
Pacote / Caso | SC-96 |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
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