Número da peça | RQ3E120GNTB |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 16W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 12A, 10V |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacote / Caso | 8-PowerVDFN |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Em estoque: 3000
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Em estoque: 3000
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
Em estoque: 3000
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
Em estoque: 3000