STMicroelectronics STB11NM60FDT4

Número da peça: STB11NM60FDT4
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

STMicroelectronics

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Parâmetro do produto

Número da peça	STB11NM60FDT4
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de operação	-
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores	D2PAK
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB