STMicroelectronics STB4NK60Z-1

Número da peça: STB4NK60Z-1
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

STMicroelectronics

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Parâmetro do produto

Número da peça	STB4NK60Z-1
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores	I2PAK
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA