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| Número da peça | 2SK2009TE85LF |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 3V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50MA, 2.5V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SC-59-3 |
| Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH S-MINI FET
Em estoque: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH S-MINI FET
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Em estoque: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Em estoque: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: JFET N-CH SOT23
Em estoque: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: JFET N-CH SOT23
Em estoque: 21000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: JFET N-CH SOT23
Em estoque: 3000
