Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF MT3S20P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P(TE12L,F)

Número da peça
MT3S20P(TE12L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça MT3S20P(TE12L,F)
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 12V
Frequência - Transição 7GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Ganho 16.5dB
Power - Max 1.8W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-243AA
Pacote de dispositivos de fornecedores PW-MINI
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Em estoque: 1000

RFQ 0.16500/pcs
MT3S20TU(TE85L)

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

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RFQ -