Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos RN2971(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2971(TE85L,F)

Número da peça
RN2971(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.

Em estoque $ Quantidade pcs
  • Preço de referência

    (Em dólares americanos)
  • 1 pcs

    0.04410/pcs
  • 3,000 pcs

    0.04410/pcs
Total:0.04410/pcs Unit Price:
0.04410/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça RN2971(TE85L,F)
Status da Parte Active
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequência - Transição 200MHz
Power - Max 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos de fornecedores US6
produtos relacionados
RN2970FE(TE85L,F)

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Em estoque: 0

RFQ -
RN2971(TE85L,F)

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Em estoque: 3000

RFQ 0.04410/pcs
RN2971FE(TE85L,F)

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Em estoque: 0

RFQ -