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| Número da peça | SSM6P36FE,LM |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 330mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
| Power - Max | 150mW |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ES6 (1.6x1.6) |
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descrição: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Em estoque: 250
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descrição: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Em estoque: 9000
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descrição: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Em estoque: 35000
Fabricante: Analog Devices Inc.
Descrição: EVAL BOARD FOR 24 LEAD LFCSP
Em estoque: 3
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Em estoque: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Em estoque: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Em estoque: 12000
