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| Número da peça | TK35E10K3(S1SS-Q) |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | - |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Temperatura de operação | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220 |
| Pacote / Caso | TO-220-3 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
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