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| Número da peça | TK35N65W5,S1F |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 650V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Em estoque: 90
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Em estoque: 5
