Número da peça | BYM10-1000-E3/96 |
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Status da Parte | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corrente - Média Rectificada (Io) | 1A |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.2V @ 1A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | DO-213AB |
Temperatura de operação - junção | -65°C ~ 175°C |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Em estoque: 3000
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Em estoque: 5000
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Em estoque: 9000
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Em estoque: 0