Número da peça | EGF1T-E3/67A |
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Status da Parte | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 1300V |
Corrente - Média Rectificada (Io) | 1A |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 3V @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | 75ns |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 5µA @ 1300V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | DO-214BA |
Pacote de dispositivos de fornecedores | DO-214BA (GF1) |
Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Em estoque: 3000
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
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