Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays SI1988DH-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1988DH-T1-GE3

Número da peça
SI1988DH-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

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Parâmetro do produto
Número da peça SI1988DH-T1-GE3
Status da Parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
Power - Max 1.25W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-70-6 (SOT-363)
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Fabricante: Vishay Siliconix

Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

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SI1988DH-T1-GE3

Fabricante: Vishay Siliconix

Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6

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