Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI2323DS-T1-GE3

Vishay Siliconix SI2323DS-T1-GE3

Número da peça
SI2323DS-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Parâmetro do produto
Número da peça SI2323DS-T1-GE3
Status da Parte Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Descrição: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

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