Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays SI3529DV-T1-E3

Vishay Siliconix SI3529DV-T1-E3

Número da peça
SI3529DV-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

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Parâmetro do produto
Número da peça SI3529DV-T1-E3
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.5A, 1.95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 205pF @ 20V
Power - Max 1.4W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP
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Fabricante: Vishay Siliconix

Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

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SI3529DV-T1-GE3

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