Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays SI3590DV-T1-GE3

Vishay Siliconix SI3590DV-T1-GE3

Número da peça
SI3590DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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0.18343/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça SI3590DV-T1-GE3
Status da Parte Active
Tipo FET N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 830mW
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP
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Fabricante: Vishay Siliconix

Descrição: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Em estoque: 39000

RFQ 0.12276/pcs
SI3590DV-T1-GE3

Fabricante: Vishay Siliconix

Descrição: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

Em estoque: 6000

RFQ 0.18343/pcs