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| Número da peça | SI4330DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.1W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Fabricante: Silicon Labs
Descrição: IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN
Em estoque: 1665
Fabricante: Silicon Labs
Descrição: IC RX ISM 240-960MHZ 20QFN
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Em estoque: 0
