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| Número da peça | SI4500BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel, Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6.6A, 3.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.3W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
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