Número da peça | SI4561DY-T1-GE3 |
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Status da Parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
FET Feature | Logic Level Gate |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6.8A, 7.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
Power - Max | 3W, 3.3W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
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