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| Número da peça | SI4816DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.3A, 7.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1W, 1.25W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Em estoque: 2500
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
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