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| Número da peça | SI4910DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
| Power - Max | 3.1W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Em estoque: 0
