Número da peça | SI4973DY-T1-GE3 |
---|---|
Status da Parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Power - Max | 1.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
Em estoque: 0