Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays SI5908DC-T1-GE3

Vishay Siliconix SI5908DC-T1-GE3

Número da peça
SI5908DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

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Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça SI5908DC-T1-GE3
Status da Parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 1.1W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos de fornecedores 1206-8 ChipFET™
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