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| Número da peça | SI5915BDC-T1-E3 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 8V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 4V |
| Power - Max | 3.1W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 1206-8 ChipFET™ |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Em estoque: 0
