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| Número da peça | SI7964DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.4W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® SO-8 Dual |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
Em estoque: 0
