Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays SIZ900DT-T1-GE3

Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3

Número da peça
SIZ900DT-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

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Parâmetro do produto
Número da peça SIZ900DT-T1-GE3
Status da Parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
Power - Max 48W, 100W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-PowerPair™
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-PowerPair™
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