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| Número da peça | SQ4920EY-T1_GE3 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1465pF @ 15V |
| Power - Max | 4.4W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
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