Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2DB1132R-13

Diodes Incorporated 2DB1132R-13

Artikelnummer
2DB1132R-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer 2DB1132R-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 32V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 100mA, 3V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 190MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket SOT-89-3
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