Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2DB1132R-13

Diodes Incorporated 2DB1132R-13

Numero di parte
2DB1132R-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2DB1132R-13
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 100mA, 3V
Potenza - Max 1W
Frequenza - Transizione 190MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-89-3
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