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| Artikelnummer | DMN6013LFG-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Ta), 45A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2577pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Auf Lager: 18000
