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| Numero di parte | DMN6013LFG-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Ta), 45A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2577pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Disponibile: 2000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
Disponibile: 6000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Disponibile: 18000
