Artikelnummer | DMN63D0LT-7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | - |
FET-Eigenschaft | - |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / Fall | - |
Lieferantengerätepaket | - |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Auf Lager: 2000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Auf Lager: 18000