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| Artikelnummer | DMN63D8LDW-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 220mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 870nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 25V |
| Leistung max | 300mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V SOT523
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
Auf Lager: 159000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
Auf Lager: 465000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Auf Lager: 0
