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| Artikelnummer | DMT3020LFDB-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.7A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 393pF @ 15V |
| Leistung max | 700mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type B) |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI
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