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| Artikelnummer | RFD12N06RLESM9A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 49W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Auf Lager: 10000
