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| Numero de parte | RFD12N06RLESM9A |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
En stock: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
En stock: 10000
