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| Artikelnummer | GB10SLT12-252 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
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