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| Número da peça | GB10SLT12-252 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 1200V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 10A |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 2V @ 10A |
| Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 0ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 250µA @ 1200V |
| Capacitance @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-252 |
| Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
Em estoque: 0
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
Em estoque: 0
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
Em estoque: 195
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Em estoque: 0
