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Infineon Technologies BSM150GB170DN2HOSA1

Artikelnummer
BSM150GB170DN2HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MODULE IGBT 1700V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer BSM150GB170DN2HOSA1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 220A
Leistung max 1250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1.5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
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Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: MODULE IGBT 1700V

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