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Infineon Technologies BSM150GB170DN2HOSA1

Número da peça
BSM150GB170DN2HOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MODULE IGBT 1700V
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - IGBTs - Módulos
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Parâmetro do produto
Número da peça BSM150GB170DN2HOSA1
Status da Parte Obsolete
Tipo IGBT -
Configuração Half Bridge
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 1700V
Current - Collector (Ic) (Max) 220A
Power - Max 1250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max) 1.5mA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso Module
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
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Fabricante: Infineon Technologies

Descrição: MODULE IGBT 1700V

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