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| Artikelnummer | IPAN60R800CEXKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 27W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Auf Lager: 973
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Auf Lager: 963
