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| Numero di parte | IPAN60R800CEXKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Disponibile: 973
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Disponibile: 963
