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| Artikelnummer | IRF7103TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 25V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Auf Lager: 4000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Auf Lager: 5991
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Auf Lager: 12000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Auf Lager: 0
