Artikelnummer | IRFI4212H-117P |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 72.5 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 50V |
Leistung max | 18W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-5 Full Pack |
Lieferantengerätepaket | TO-220-5 Full-Pak |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Auf Lager: 778
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
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