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| Artikelnummer | IRL6372TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 195A
Auf Lager: 774
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Auf Lager: 397
