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| Artikelnummer | JANTX2N4416AUB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 35V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 15mA @ 15V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 6V @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung max | 300mW |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | 4-SMD |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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