Numero de parte | JANTX2N4416AUB |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Voltaje - avería (V (BR) GSS) | 35V |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 35V |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 15mA @ 15V |
Drenaje actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 6V @ 1nA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 15V |
Resistencia - RDS (Encendido) | - |
Potencia - Max | 300mW |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 4-SMD, No Lead |
Paquete de dispositivo del proveedor | 4-SMD |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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