provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | MV2N4860 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 100mA @ 15V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 6V @ 500pA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 40 Ohm |
| Leistung max | 360mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE TUNING 30V 33PF TO92-2
Auf Lager: 0
