provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | MV2N4860 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| Jännitteen jakautuminen (V (BR) GSS) | 30V |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 30V |
| Nykyinen - Viemäri (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 100mA @ 15V |
| Nykyinen tyhjennys (Id) - maks | - |
| Jännite - katkaisu (VGS pois päältä) @ Id | 6V @ 500pA |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
| Resistance - RDS (On) | 40 Ohm |
| Teho - Max | 360mW |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Toimittajan laitepaketti | TO-18 |
