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| Artikelnummer | 3LN01C-TB-E |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 150mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 80mA, 4V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-CP |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Auf Lager: 6000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.15A
Auf Lager: 39000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP
Auf Lager: 3000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
Auf Lager: 0
